Bendrovė „SanDisk“ pranešė sukūrusi erdvinę 8 sluoksnių „flash“ atminties mikroschemą, kurios teorinė talpos riba siekia 256 GB. Tačiau kol kas informaciją į tokią prototipinę mikroschemą galima įrašyti tik vieną kartą, praneša „TechRadar.com“.
Pasak bendrovės vadovo Elio Harario, įprastos „flash“ atminties mikroschemos maksimalias savo talpos galimybes pasieks jau po 5 metų. Jų talpa esą padidės 2-3 kartus lyginant su dabartinėmis mikroschemomis ir pasieks maždaug 32 GB ribą.
Po kelerių metų bus pasiekta fizinė „flash“ atminties mikroschemų talpos riba. „Scanpix“ nuotr.
Tad, anot jo, reikia plėtoti erdvinių (3D) „flash“ kaupiklių mikroschemų technologiją, suteiksiančią didesnes talpos galimybes. „Kai Manhetene pritrūko žemės, ėmė kilti dangoraižiai“, - sakė E. Hararis.
„SanDisk“ 3D „flash“ mikroschemų kūrimą pradėjo 2005 m. įsigijusi bendrovę „Matrix“, kuri jau buvo pagaminusi tokių mikroschemų prototipus. 2008 m. viduryje „SanDisk“ ir „Toshiba“ pasirašė sutartį dėl bendradarbiavimo kuriant erdvinę „flash“ atmintį.
