Oregono universitete (JAV) sukurtas neįprastas diodas, galintis dirbti dideliu greičiu. MIM tipo (metalas-izoliatorius-metalas) diodas naudoja kvantinį-mechaninį efektą: elektronų tuneliavimą per labai ploną dielektriko sluoksnį.
„Mokslininkai bandė sukurti tokį prietaisą ištisus dešimtmečius, tačiau visi bandymai iki šiol buvo nesėkmingi“, – teigia vienas autorių Duglasas Kesleris (Douglas Keszler). Jo teigimu, kitose laboratorijose sukurti MIM diodai nepasižymėjo aukštu produktyvumu.
Tokio tipo diodai yra labai perspektyvūs. Jie gali suderinti didelį darbo greitį (elektronai tuneliuoja akimirksniu) ir mažą kainą. Keslerio teigimu, MIM diodų pagrindu sukurtos schemos galėtų būti netgi pigesnės, nei silicio pagrindu pagaminti lustai.
Esmine naujove tapo plono amorfinio metalo naudojimas kontakto vietoje. Šis sluoksnis kartu su dielektriku sudaro besiūlį junginį tiesiog atomų lygyje, taigi elektronai gali be kliūčių peršokti „barjerą“.
Amerikos fizikai teigia, kad technologija yra suderinama su lengvai prieinamais metalais (variu, nikeliu, aliuminiu), o naujas schemas galima spausdinti ant didelio, iš įvairių medžiagų pagaminto pagrindo. Tyrimo rezultatai pateikiami „Advanced Materials“ straipsnyje.
