„Flash“ atminties mikroschemų laukia technologinė revoliucija: bendrovė „Crossbar“ ketina pradėti naujų nuo energijos tiekimo nepriklausomų atminties mikroschemų, mažesnių už pašto ženklą, gamybą. Šiose mikroschemose bus galima įrašyti 1 TB duomenų, pranešė „CNet News“.
Kalifornijoje (JAV) įsikūrusi „Crossbar“ pranešė pagaminusi naujas „Flash“ tipo atminties mikroschemas, kurių plotas (200 kvadratinių milimetrų) yra mažesnis už pašto ženklą. Į tokio dydžio mikroschemą galima įrašyti 1 terabaitą duomenų. Pranešama, kad šis išradimas remiasi „Crossbar“ inžinierių išrasta nauja RRAM (Resistive Random Access Memory) atminties mikroschemų atmaina. Šios atminties moduliai sudaryti iš trijų elementų: apatinio nemetalinio elektrodo, tarpinio sluoksnio iš amorfinio silicio ir viršutinio metalinio elektrodo.
Į modulį tekant elektros srovei tarp elektrodų susidaro įtampa, kuri tarpiniame sluoksnyje suformuoja tam tikros varžos gijas, taip paversdama šį sluoksnį laidininku. Dėl to modulis keičia savo būklę. Kad būtų galima atstatyti pirminę medžiagos būklę ir vėl perjungti modulį, pakartotinai paduodama kito poliariškumo srovė.
Kad būtų galima pasiekti aukštą duomenų įrašymo tankį, bendrovės inžinieriai nusprendė įrenginėti RRAM modulių sluoksnius vieną virš kito. Kiek sluoksnių galima pakloti kiekvienoje naujo tipo mikroschemoje, „Crossbar“ atstovai neatskleidžia.
Be didesnio informacijos įrašymo tankio „Crossbar“ mikroschemos duomenis įrašinėja 20 kartų greičiau, nei įprastinės NAND „flash“ atminties mikroschemos, tarnauja 10 kartų ilgiau nei jos ir siūlo beveik DRAM atminčiai prilygstantį patikimumą, sakoma pranešime.
Manoma, kad naujosios atminties mikroschemos bus naudojamos išmaniuosiuose telefonuose, planšetiniuose kompiuteriuose, SSD kaupikliuose, dėvimuose kompiuteriuose ir kituose elektronikos produktuose.
