Japonijoje vykstančioje parodoje CEATEC kompanija TDK pademonstravo magnetorezistyvinės atminties STT-MRAM prototipą, kuris pagal savo spartos lygį gali būti lyginamas su SRAM ir DRAM, tačiau gali išsaugoti duomenis gana ilgą laiką net po to, kai nutraukiamas elektros energijos tiekimas.
Įvairūs panašaus tipo atminties moduliai sukurti jau seniai. TDK remiasi sukininio judesio perdavimo momento technologija – duomenų įrašymo metu, elektros įtampai veikiant poliarizuotą sukinį, vyksta magnetinio lauko orientacijos kaita.
Parodoje buvo pademonstruota 200 mm dydžio silicio plokštelė su STT-MRAM kristalais, kurių kiekvieno talpa sudaro 8 MB, o taip pat mikroschema, kurioje įdiegtas minėtas kristalas.
Deja, japonų gamintojas negalės greitu metu pradėti masinės STT-MRAM atminties modulių gamybos – TDK ekspertų vertinimais, technologija subręs tik po 5–10 metų.
Beje, kompanija TDK nėra vienintelė, kuri užsiima technologija STT-MRAM. Jos pagrindiniu konkurentu šioje srityje yra „Everspin Technologies“, kuri savo partneriams jau tiekiama šio tipo atminties modulius, tiesa, labai ribotais kiekiais. „Everspin“ mikroschemos naudojamos, pavyzdžiui, „Buffalo Memory“ SSD kaupikliuose kaip spartinančioji atmintis.
