Jau pripažįstamas kaip stipriausia pasaulyje medžiaga ir puiki žaliava mažyčiams tranzistoriams gaminti, grafenas ateityje gali būti panaudotas gaminant super atsparias ir super mažas atminties mikroschemas.
Rice Universiteto mokslininkai jau pademonstravo duomenų saugojimo įtaisą, kurio storis buvo vos 10 atomų. Jų teigimu, grafeno pagrindu sukurtos naujos kartos laikmenos pasižymėtų „daugelį kartų didesne talpa“ nei dabartinė „flash“ atmintis; negana to, jos galėtų atlaikyti palyginti aukštas temperatūras (iki 200 laipsnių pagal Celsijaus skalę). Esant tokioms temperatūroms dabartiniai kietos būsenos (SSD) įrenginiai suirtų.
Kol kas tyrinėtojams pavyko pasiekti tik 100 nanosekundžių kreipties trukmę (angl. access time), o tai yra apie 10 kartų lėčiau lyginant su SRAM atmintimi. Tačiau jie įsitikinę, kad eksperimentuojant su medžiaga šį skaičių pavyks sumažinti.
