Taivano bendrovė „Taiwan Semiconductor Manufacturing Company“ (TSNC) 2015 m. pradės gaminti mikroschemas pagal 10 nm tikslumo technologinį procesą, pranešė leidinys „DigiTimes“.
Pasak bendrovės atstovų, trečiąjį šių metų ketvirtį lustų gamyba pagal 20 nm technologiją sudarys iki 10 proc. TSNC pajamų, o ketvirtąjį ketvirtį - iki 20 proc. Šių metų pabaigoje bendrovė pradės bandomają mikroschemų ganybą pagal 16 nm technologiją „FinFET“, pagal kurią bus naudojami 3D tranzistoriai. Lyginant su dabartine 25 nm technologija trazistorių tankumas naudojant „FinFET“ padidės 2 kartus.
Skelbiama, kad TSNC steigs specialių mokslinių tyrimų ir bandomąjį konstrukcinį padalinį 10 nm technologijai plėtoti. Šiuose naujuose padaliniuose dirbs apie 300 - 400 specialistų. Bandomąją mikroschemų pagal 10 nm technologiją gamybą planuojama pradėti 2015 metais, o masinė gamyba turėtų prasidėti 2016 metais, sakoma pranešime.
